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新井 太貴*; 吉越 章隆; 本橋 光也*
材料の科学と工学, 60(5), p.153 - 158, 2023/10
現在、Si酸化膜は絶縁材料として電子デバイスや生体材料に広く利用されている。この膜の原子結合状態は、各デバイスの特性に影響を与えるため、特に膜のSiとOの化学結合状態の理解と制御が必要となる。本研究では、極低濃度のHF水溶液を用いた陽極酸化によってSi基板表面に形成されるSi酸化膜をX線光電子分光によって分析した。Si2pおよびF1sスペクトルを中心に調べた。HF濃度がppmオーダであるにもかかわらず、膜表面にパーセントオーダのFを含んでいることがわかった。膜中にSi-FやSi-O-F結合が形成されたことを示唆する結果である。また、FとOの深さ分布が異なることから、FとOで表面反応プロセスが異なることが推論された。
小川 修一*; 吉越 章隆; Tang, J.*; 堰端 勇樹*; 高桑 雄二*
Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SM0801_1 - SM0801_42, 2020/07
被引用回数：5 パーセンタイル：32.24(Physics, Applied)この論文では、SiO
/Si界面付近の点欠陥生成を介したSi酸化反応の統一モデルに関するレビューをする。この点欠陥は放出されたSi原子と空孔からなり、このダングリングボンドにおいてO分子の解離吸着が起きる。点欠陥の生成速度が、酸化にともない誘起される歪み、SiとSiO間の熱膨張係数の違いに起因する熱歪み、熱励起によるSi放出の速度および吸着熱の組み合わせによって与えられることを示す。
/Si(001) and SiO/Si(111) interfaces studied by X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunnelling microscopyTang, J.*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
no journal, ,
Si基板上のSiO層の熱分解は不均一なボイド核形成とその後に起きる2D形状の拡大によって進行することが知られている。しかし、ボイド核形成のメカニズムは未だに未知である。本研究では、SPring-8の放射光を使ったX線光電子分光によるリアルタイム観察によって酸化膜および酸化状態と同時に界面歪の情報を調べ、SiO/Si(001)およびSiO/Si(111)の熱分解の速度論的側面を明らかにした。
